Le salon VLSI Symposia, organisé à Tokyo du 10 au 14 juin 2003, a été l’occasion pour AMD comme pour Intel de présenter leurs futurs processeurs et les différentes orientations technologiques sur ...

Le salon VLSI Symposia, organisé à Tokyo du 10 au 14 juin 2003, a été l’occasion pour AMD comme pour Intel de présenter leurs futurs processeurs et les différentes orientations technologiques sur lesquelles ils travaillent. Les deux spécialistes des microprocesseurs cherchent à optimiser les transferts de charge électrique à l’intérieur des composants électroniques, tout en minimisant les pertes énergétiques. Ils tentent d’augmenter les performances des processeurs en diminuant la consommation électrique.

AMD veut réduire au maximum les pas de gravure des transistors équipant ses processeurs, actuellement conçus en 130 nm (0,130 micron). Ils seront prochainement élaborés en 90 nm, et dans le futur, peut-être en 2007, en 45 nm, voire en 32 nm (2009). AMD se tourne également vers de nouveaux matériaux, comme le siliciure de nickel (NiSi) pour remplacer le polysilicium actuellement utilisé pour la conception des « portes » des transistors.

De leur côté, les concepteurs d’Intel cherchent à développer une technologie « tri-gate » (triple porte), déjà annoncée l’an dernier. Le transistor d’Intel ne serait plus plat comme actuellement, mais en volume, la charge électrique venant du haut de la porte du transistor et se répartissant sur les « façades » verticales, triplant les flux du signal électrique.

(Atelier groupe BNP Paribas – 16/06/03)