Le constructeur sud-coréen vient de dévoiler ses premiers composants de mémoire flash de 32 gigabits. Cette nouvelle mémoire flash permet d'atteindre une finesse de gravure de 30 nm. L'espace de...

Le constructeur sud-coréen vient de dévoiler ses premiers composants de mémoire flash de 32 gigabits. Cette nouvelle mémoire flash permet d'atteindre une finesse de gravure de 30 nm. L'espace de stockage pourrait être multiplié par huit pour atteindre les 64 Go pour les cartes mémoire.
 
Samsung a également annoncé le développement d'un nouveau type de mémoire flash : le PRAM (Phase-Change Random Access Memory). La production de cette mémoire flash ne débutera qu'en 2008. Cette mémoire PRAM pourrait vite supplanter la mémoire flash de type NOR que l'on retrouve actuellement implantés dans des appareils comme les GPS ou les assistants personnels.
 
La mémoire PRAM détient de nombreux avantages : des dimensions réduites, une durée de vie dix fois supérieures et une vitesse de lecture et d'enregistrement multipliée par trente. Ces nouvelles mémoires flash sonneraient-elles la fin de nos chers disques durs?
 

 
(Atelier groupe BNP Paribas – 13/09/2006)