Samsung a eu recours à une technologie permettant de réduire la taille de la puce à 0,13 micron pour mettre au point une mémoire SDRAM "double data rate" (DDR). Selon un communiqué du groupe "le dév...

Samsung a eu recours à une technologie permettant de réduire la taille de la puce à 0,13 micron pour mettre au point une mémoire SDRAM "double data rate" (DDR). Selon un communiqué du groupe "le développement de ce circuit d'un gigabit est significatif dans la mesure où nous sommes parvenus dans la production de semi-conducteurs à une taille de 0,13 micron". Son vice-président, Hwang Chang-Gyu, indique "nous sommes maintenant compétitifs sur le marché des semi-conducteurs traditionnels et nous le seront également sur celui des mémoires à 256 megabits". La technologie 0,13 micron sera utilisée dans la production des DRAM de 128 et 256 megabits. Ayant la puissance de quatre mémoires DRAM de 256 megabits, la mémoire DDR SDRAM de Samsung permet de stocker l'équivalent de 8 000 pages de journal. Elle sera notamment destinée aux applications de télévision haute définition, de communication par satellite et aux transactions par commerce électronique. Selon les analystes, la production en série de cette nouvelle mémoire pourrait commencer d'ici un an. (Dépêche AFP du 28/06 parue dans Yahoo ! France - Les Echos - 29/06/1999)